来自普渡大学和哈佛大学的研究人员制作出一种新型晶体管,所使用的材料有望取代硅,并且采用了立体结构,而非传统的平板结构。
这种晶体管可以让工程师开发出速度更快、集成度和效率更高的集成电路,进而设计出更轻薄的笔记本电脑,散发的热量远远低于现在的水平。这些晶体管包含很多由砷化铟镓做成的纳米管,并没有采用传统的材料硅。
生产工艺采用了所谓的顶部朝下的方法,类似于把原件精确地蚀刻并固定在晶体管上的工业流程类似,由于兼容传统工艺,有望被业界采纳。
新一代硅芯片将在明天问世,届时将采用垂直结构,而非平板设计,但由于硅的电子流动性有限,人们急需一种流动性更强的新材料来替代硅。
三五族材料砷化铟镓就是候选半导体之一,普渡大学通过这种材料做出了全球首款3D环绕闸极(gate-all-around)晶体管。
此外,三五族合金纳米管将把闸极长度缩短到10纳米范围内,其导电能力比硅快5倍。
此项研究由普渡大学和哈佛大学联合开展,相关论文将发表在本月在华盛顿举办的国际电子设备大会(International Electron Devices Meeting )上。
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physorg 图:
inhabitat